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基于2SD315模塊的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)
時(shí)間:2010-12-20 15:12:30來源:zhangting
摘 要:IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是IGBT可靠、穩(wěn)定、高效運(yùn)行的基礎(chǔ),也是IGBT所構(gòu)成系統(tǒng)可靠運(yùn)行所必不可少的。本文所提出的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是應(yīng)用于二極管箝位式的三電平變頻器當(dāng)中,在介紹IGBT主要特性的前提下,介紹應(yīng)用CONCEPT公司的2SD315模塊設(shè)計(jì)具有高可靠性、高集成度,高效率等特點(diǎn)的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,最后給出以型號(hào)為2SD315AI-33驅(qū)動(dòng)模塊的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路。
關(guān)鍵詞:IGBT,驅(qū)動(dòng)電路,三電平變頻器,2SD315
1、引言
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,從而成為當(dāng)今電力電子行業(yè)的首選器件。
電力電子器件的發(fā)展水平在很大程度上決定了電力電子產(chǎn)品的發(fā)展水平,而目前電力電子器件受電壓、電流水平的限制成為電力電子及電氣傳動(dòng)行業(yè)發(fā)展的瓶頸,而IGBT則是其中一例。在現(xiàn)有的IGBT技術(shù)水平上如何能夠使其發(fā)揮最大功能,這是主要而又關(guān)鍵的問題,除了合理的軟件控制方法外,無疑IGBT的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是又一重要環(huán)節(jié)。目前,IGBT的控制保護(hù)電路很多,但在集成度,可靠性等方面還不夠完善,本文就此在介紹IGBT基本性能的基礎(chǔ)上介紹一種基于CONCEPT公司的2SD315模塊的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。
2、IGBT特性及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
本文以eupec公司型號(hào)為FF450R17ME3的IGBT為例進(jìn)行說明。通過查找其技術(shù)手冊(cè)可得:在其節(jié)溫為125℃,器件集電極與發(fā)射級(jí)間壓降為UCE=900V,門極驅(qū)動(dòng)電壓UGE=±15V,IC=450A,限流電阻RG=3.3Ω時(shí)Tdon=100ns,Tdoff=1000ns。但在門極電阻RG不同時(shí),其開關(guān)速度也是不同的,當(dāng)RG小時(shí),其與門極電容的時(shí)間常數(shù)短,使IGBT深度飽和導(dǎo)通的時(shí)間短,反之則長。而IGBT得開關(guān)速度直接影響系統(tǒng)效率,但是考慮到di/dt與du/dt對(duì)IGBT本身的副作用,又不能使限流電阻過小。一般限流電阻的選擇可參照以下公式:[1]~[2]
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